QSense High Pressure 高壓石英晶體微天平可以實時了解真實高溫高壓條件下，體系的組成成分、添加劑相關化學物質之間的界面相互作用，為您的研究提供了一整套的解決方案。即使是微小的改變，也能對您的工作產生極大的影響，而將您的決定建立在分析科學的基礎上，則會增加成功的機會。借助QSense^® High Pressure高壓模塊，我們希望能充分激發您的想象力，通過實驗測試、分析討論和方法優化以得到更好的結果。

QSense High Pressure 高壓石英晶體微天平是一款可模擬現實高壓反應條件的石英晶體微天平分析設備。壓力設置高至200Bar,溫度設置高至150℃。您也可以對儀器參數進行個性化定制，以滿足特定的實驗需求。

高壓石英晶體微天平由高溫樣品臺、高壓流動池、高壓泵、液體處理單元和電子單元組成

QSense^® High Pressure高壓石英晶體微天平——專家之選

您比我們更了解您的研究領域。然而，無論是努力提高石油產量，防止食品加工設備與管道的污染，還是體系反滲透膜的脫鹽效率，充分地了解反應過程都具價值。通過提高對油巖界面相互作用的理解，您或許能在未來做出更明智的決定。

QSense^® High Pressure高壓石英晶體微天平——強有力的研究工具

QCM-D是耗散型石英晶體微天平的簡稱。該技術可記錄石英晶體芯片的振蕩頻率和耗散的變化，為在納米尺度上研究分子與表面的相互作用提供了新的視角。使用QSense^® 耗散型石英晶體微天平分析儀，您可以實時跟蹤表面上發生的質量、厚度和結構物理特性等變化。

QSense^® 檢測得到的質量吸附/脫附量以及反應速率

模擬現實高壓反應條件

不同的反應條件下進行的測試可能得到不同的結果，而這就是我們開發QSense® 高壓石英晶體微天平的驅動力。我們可提供芯片表面定制，以滿足您的不同實驗需求。基于QCM-D的檢測結果，您可實時根據界面反應得出結論，并對反應流程進行優化。

• 1. 在高壓和高溫的條件下進行QCM-D實驗

• 2. 根據您的特定需求選擇芯片的材質和涂層

• 3. 使用不同的有機溶劑和樣品，篩選實驗方案

選擇QSense^® High Pressure高壓石英晶體微天平的三個理由:

• 1. 基于對結果至關重要的表面相互作用過程信息做出更明智的決定

• 2. 從表面材料、化學反應、壓力和溫度等方面模擬真實的反應條件

• 3. 為您的實驗室裝備一套高靈敏度的科學分析工具

QSense^® High Pressure高壓石英晶體微天平的典型應用領域：

食品加工

食品加工設備經過使用后，通常殘留的污垢中含有豐富的營養成分，成為微生物生長繁殖的培養基。只有清除污垢，才能保障加工后的食品處于衛生的環境中。

防止污垢沉積

檢測污垢形成的過程，尋找方法或添加劑以減少污垢沉積。使用不銹鋼芯片模擬在設備和管道表面，體系的組成成分和加工溫度對結垢的影響，進而找出適宜的化學成分、表面材料、壓力和溫度，用于預測在高溫高壓條件下，工業食品加工中不銹鋼設備的結垢/清洗行為。

RO反滲透膜

RO反滲透膜通過對高濃度的一側施加壓力進行逆滲透，工作壓力設置不當，會影響產水通量、脫鹽率以及RO膜元件的使用壽命。

工作壓力優化

通過調節進水的壓力，研究影響反滲透膜的產水通量和脫鹽率的因素，使用QSense系統模擬真實世界中高溫高壓條件的海水淡化設施中可能遇到的傳輸現象。

QSense^® High Pressure高壓石英晶體微天平的技術參數：

a 溫度的穩定性取決于環境變化對樣品池升溫或冷卻的影響。如果附近有氣流或熱源使室溫變化超過±1℃，則可能無法達到系統設定的溫度穩定性。

b 通過標準的QSense® 流動模塊采集數據 (單頻模式下每5秒采集一個數據點，假定Sauerbrey關系是有效的)。當QSense®高壓系統芯片背面存在液體時，靈敏度會降低。

以上技術參數僅對此配置有效。所有技術指標如有更改，恕不另行通知。